（原标题：台积电申请半导体器件及形成其接合结构的方法专利，实现焊料材料部不接触第二膜） 金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及形成其接合结构的方法“，公开号CN117174690A，申请日期为2023年4月。 专利摘要显示，实施例半导体器件可以包括电互连层、电耦合到电互连层的接合焊盘、包括部分地覆盖接合焊盘表面的第一膜和部分地覆盖第一膜的第二膜的堆叠膜结构，在接合焊盘的部分表面上形成在第一膜中的第一孔，形成在第二膜中使得第二孔大于第一孔并且形成在第一孔上方使得第一孔完全位于第二孔的区域下方的第二孔，以及形成为与焊盘接触的焊料材料部。焊料材料部可以包括小于第二孔的尺寸的第一宽度，使得焊料材料部不接触第二膜。本申请的实施例还公开了一种形成半导体器件的接合结构的方法。 以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的在于传播更多信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至，我们将安排核实处理。一冲壳移动定位板交叉传动机械创新设计接合元件 |